ECTS
3
Modalités d’organisation et de suivi :
Coordinateur :Zerounian Nicolas
Equipe pédagogique :F. Aniel (PU), A-S. Grimault-Jacquin (MC), N. Zerounian (MC).
Déroulement et organisation pratique :4 séances de cours de 3 heures, 2 séances de cours de 4 heures, 2 séances de cours-TP de 3 heures, 1 séance de TP de 4 heures.
Objectifs pédagogiques visés :
Contenu :Cette UE vise la synthèse de circuits non linéaires (l’amplification de puissance, le mélange et l‘oscillation) avec une mise en pratique. Les procédés technologiques de fabrication des circuits MMIC seront abordés. Les modèles non linéaires des dispositifs actifs sont décrits, et la modélisation physique sera mise en pratique sur un HEMT. Des dispositifs à base de technologie III/V vers ceux à base de carbone (graphène, nanotubes) en tant qu’exemples appropriés pour décrire le cahier des charges d’une réalisation de circuits avancés HF seront discutés en adéquation avec les défis technologiques actuels de la recherche.
• Technologie MMIC sur substrat III-V (GaAs, InP, GaN)
• Dispositifs actifs et modélisation non linéaires de diodes, HFET et TBH. Quel composant pour quelle application ?
• Etat de l’art des circuits non linéaire, du prototype de recherche vers le produit industriel.
• Technologies des dispositifs utilisant de nouveaux matériaux (diamant, graphène, nanotubes).
• Travaux Pratiques : Conception des fonctions non-linéaires telles que l’amplification de puissance, le mélange et l’oscillation. Modélisation d’un HEMT de la physique au modèle électrique.
• Technologie MMIC sur substrat III-V (GaAs, InP, GaN)
• Dispositifs actifs et modélisation non linéaires de diodes, HFET et TBH. Quel composant pour quelle application ?
• Etat de l’art des circuits non linéaire, du prototype de recherche vers le produit industriel.
• Technologies des dispositifs utilisant de nouveaux matériaux (diamant, graphène, nanotubes).
• Travaux Pratiques : Conception des fonctions non-linéaires telles que l’amplification de puissance, le mélange et l’oscillation. Modélisation d’un HEMT de la physique au modèle électrique.
Prérequis :Circuits analogiques basse fréquence, filtrage analogique.
Bibliographie :[1] « Composants semi-conducteurs pour les hyperfréquences », Aniel F., Dalle C., Long S., Zerounian N., Hermes Science – Lavoisier, 2005. [2] « Practical MMIC Design », Steve Marsh, Artech House, 2006.
Période(s) et lieu(x) d’enseignement :
Période(s) :Novembre – Décembre – Janvier – Février.
Lieu(x) :ORSAY