2. Conferences |

Aniel F., Enciso-Aguilar M., Zerounian N., Giguerre L., Crozat P., Adde R., Zeuner M., Hock G., Hackbarth T., Herzog H.-J., Konig U. »SiGe Hetero FETs on silicon at cryogenic temperature. »5th Workshop on Low Temperature Electronics, Grenoble (France), du 19 juin 2002 au 21 juin 2002
Aniel F., Enciso-Aguilar M., Zerounian N., Giguerre L., Crozat P., Adde R., Zeuner M., Hock G., Hackbarth T., Herzog H.-J., Konig U. »SiGe Hetero FETs on silicon at cryogenic temperature. »WOLTE-5, Grenoble, France, du 18 juin 2002 au 21 juin 2002;in Journal de Physique IV (PR3), vol. 12, p. 3, 8 pages, 2002
König U., Herzog H.-J., Aniel F., Adde R. »SiGe Hetero-FETs: Status, Potential, Challenges. »Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, Chernogolovka, Russia, du 21 mai 2002 au 26 mai 2002
Aniel F., Enciso M., Giguerre L., Rodriguez M., Cavassilas N., Richard S., Crozat P., Fishman G., Adde R., Herzog H.-J., KöNIG U., Ernst T., Hartmann J.-M., Guegan G., Deleonibus S. »Hétéro-transistors à effet de champ dans la filière SiGe(C). »9èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique, St Aygulf, du 29 septembre 2002 au 02 octobre 2002
Cavassilas N., Aniel F., Fishman G. »Energy-Band Structure of Strained Indirect Gap Semiconductor: A k.p Method. »International Conference on Computational Nanoscience and Nanotechnology, San Juan, Puerto Rico, du 22 avril 2002 au 25 avril 2002;in Technical Proceedings of the 2002 International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems, vol. 2, p. 411, 4 pages, 2002
ANIEL F., ENCISO-AGUILAR M., CROZAT P., ADDE R., HACKBARTH T., SEILER U., HERZOG H., KONIG U., VON KÄNEL H. »Gate length scaling in high fMAX Si/SiGe n-MODFET. »32th European Solid-State Device Research Conference, Florence, Italie, du 24 septembre 2002 au 26 septembre 2002;
in Proceedings of ESSDERC 2002, vol. -, p. 167, 4 pages, 2002
Abboun M., Zerounian N., Dubois A., Giguerre L., Aniel F., Adde R., Blayac S., Riet M., Konczykowska A. »Self Heating in InP DHBT Technology for 40 Gbit/s ICs. »European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Florence, Italie, du 24 septembre 2002 au 26 septembre 2002;in Proceedings of ESSDERC 2002, vol. -, p. 223, 4 pages, 2002
Zeuner M., Hackbarth T., Enciso-Aguilar M., Aniel F., von Känel H. »Sub 100 nm Gate Technologies for Si/SiGe Buried Channel RF Devices. »Solid State Devices and Materials Conference (SSDM) 2002, Nagoya, Japan, du 17 septembre 2002 au 19 septembre 2002p. 290-291.
Dubois A., Abboun M., Zerounian N., Blayac S., Riet M., Konczykowska A., Aniel F. »Auto échauffement des TBdH InP pour les applications 40Gbit/s. »Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), St Aygulf, France, du 02 octobre 2002 au 02 octobre 2002
Kahn M., Riet M., Blayac S., Berdaguer P., Dhalluin V., Alexandre F., Aniel F., Godin J. »Réduction du temps de transit de base du TBH GaInAs/InP. »9èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique, St Aygulf, du 29 septembre 2002 au 02 octobre 2002
Cavassilas N., Richard S., Aniel F., Fishman G. »Diagramme de bande du silicium contraint sur SiGe, calculé par la méthode k.p. »9èmes Journées Nationales de Microélectronique et Optoélectronique, St Aygulf, du 29 septembre 2002 au 02 octobre 2002
ANIEL F., ENCISO M., CROZAT P., HACKBARTH T., HERZOG H., KONIG U. »Microwave performances of silicon heterostructure-FETs. »1st International SiGe Technology and Device Meeting, Nagoya, Japan, du 15 janvier 2003 au 17 janvier 2003pp. 11-12.
Aniel F., Enciso M., Zerounian N., Crozat P., Adde R., Hackbarth T., Herzog J.-H., Konig U. »High speed Si/SiGe and Ge/SiGe MODFETs. »Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, Grainau (Germany), du 09 avril 2003 au 11 avril 2003pp. 29-32.
Konig U., Herzog H., Aniel F., Kasper E., DeMeyer K., Rabe W., Schumacher H., Parker E. »Strained Silicon SiGe HFETs for Microwave Applications. »European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, Munich (Germany), du 06 octobre 2003 au 10 octobre 2003
Enciso M., Aniel F., Giguerre L., Hackbarth T., Herzog J.-H., Konig U., Hollander B., Mantl S. »Self-heating effects on strained Si/SiGe n-HFETs. »International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), Washington D.C., USA, du 10 décembre 2003 au 12 décembre 2003;in IEEE Conference Proceedings Series, vol. -, p. 162, 2 pages, 2003International Semiconductor Device Research Symposium, Washington D.C. (USA), 10-12 décembre 2003, pp. 162-163 (2003). IEEE 03EX741 ISBN: 0-7803-8139-4
Zerounian N., Rodriguez M., Aniel F., Chevalier P., Martinet B., Chantre A. »Transit times of SiGe:C HBTs using non selective base epitaxy. »International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), Washington D.C., USA, du 10 décembre 2003 au 12 décembre 2003;in IEEE Conference Proceedings Series, vol. 1, p. 166, 2 pages, 2003IEEE 03EX741 – ISBN 0-7803-8139-4
Enciso-Aguilar M., Zerounian N., Aniel F., Hackbarth T., Herzog J.-H., Lyutovitch K., Kasper E. »High frequency performances of strained Si n-MODFET on thin SiGe buffers. »European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium (GAAS), Munich, Germany, du 06 octobre 2003 au 10 octobre 2003pp. 183-186.
Enciso M., Zerounian N., Giguerre L., Crozat P., Aniel F., Hackbarth T., Herzog H.-J., Konig U. »Noise behavior and noise modeling in SiGe-based HFETs. »International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Prague (Czech Republic), du 18 août 2003 au 22 août 2003;in Actes de la conférence ICNF 2003, vol. -, p. 385, 4 pages, 2003ISBN : 80-239-1005-1
Kahn M., Riet M., Blayac S., Berdaguer P., Dhalluin V., Alexandre F., Aniel F., Godin J. »Effect of Base Thickness on high speed characteristics and base resistance of InGaAs/InP Heterojunction Bipolar Transistor. »International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Santa-Barbara (USA), du 12 mai 2003 au 16 mai 2003
RICHARD S., CAVASSILAS N., ANIEL F., FISHMAN G. »Silicium contraint sur SiGe : dépendance en température des masses effectives. »GDR Nanoélectronique, 4èmes Journées « Hétérostructures à semiconducteurs IV-IV », Grenoble (France), du 28 janvier 2003 au 31 janvier 2003
ZEROUNIAN N., ENCISO M., GIGUERRE L., CROZAT P., ANIEL F., HACKBARTH T., HERZOG H.-J., KONIG U. »Modélisation et comportement en bruit de HFET SiGe. »Journées Nationales Microondes, Lille, France, du 21 mai 2003 au 23 mai 2003
Aniel F., Enciso Aguilar M., Zerounian N., Crozat P., Hackbarth T., Herzog H.-J., König U. »Noise in Si/SiGe and Ge/SiGe MODFET »SPIE Second International Symposium on Fluctuations and Noise (FaN’04), Maspalomas, Gran Canaria, Espagne, du 26 mai 2004 au 28 mai 2004;in SPIE proceedings series, vol. 5470, p. 107, 15 pages, 2004ISBN 0-8194-5396-X
Richard S., Aniel F., Fishman G. »Energy-band structure of Si, Ge and GaAs over the whole Brillouin zone via the k.p method »27th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-27), Flagstaff, Arizona, USA, du 26 juillet 2004 au 30 juillet 2004;in AIP Conference Proceedings Series, vol. 772, p. 1123, 2 pages, 2004
Richard S., Drouhin H.-J., Fishman G., Rougemaille N. »Spin-dependent tunneling in III-V semiconductors »27th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-27), Flagstaff, Arizona, USA, du 26 juillet 2004 au 30 juillet 2004;in AIP Conference Proceedings Series, vol. 772, p. 1345, 2 pages, 2004
Enciso Aguilar M., Zerounian N., Rodriguez M., Hackbarth T., Herzog H.-J., Aniel F. »Cryogenic behavior of high speed SiGe HFETs »European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6), Noordwijk, The Netherlands, du 23 juin 2004 au 25 juin 2004
Zerounian N., Rodriguez M., Enciso M., Aniel F., Chevalier P., Martinet B., Chantre A. »Low temperature behavior of SiGeC Heterojunction Bipolar Transistors: Influence of the emitter base scaling »Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6), Noordwijk, The Netherlands, du 23 juin 2004 au 25 juin 2004
Richard S., Fishman G., Aniel F. »Strained Si1-xGex on [001] Si: Temperature dependence of hole mobility »3rd International Conference on Computational Modeling and Simulation of Materials (CIMTEC 2004), Acireale, Sicile, Italie, du 30 mai 2004 au 04 juin 2004;in Proceedings of the third International Conference on Computational Modeling and Simulation of Materials, vol. A, p. 805, 8 pages, 2004International Conference « Computational Modeling and Simulation of Materials » – Part A – pp.805-812.
Richard S., Zerounian N., Cavassilas N., Höck G., Hackbarth T., Herzog H.-J., Aniel F. »Electroluminescence of Ge/SiGe pMODFETs »Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2004), Frankfurt/Oder, Germany, du 16 mai 2004 au 19 mai 2004
Chevalier P., Zerounian N., Fellous C., Rubaldo L., Dutartre D., Jagueneau T., Leverd F., Perrotin A., Gloria D., Barbalat B., Aniel F., Chantre A. »DC and HF characteristics of a 200 GHz fT and fmax SiGeC HBT technology at room and cryogenic temperatures »Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2004), Frankfurt/Oder, Germany, du 16 mai 2004 au 19 mai 2004
Sirbu M., Aniel F., Lepaul S. »Couplage des équations de Maxwell et Boltzmann, en 3D, dans le cas d’un photocommutateur »Xe Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (X JNMO), La Grande Motte, France, du 09 juin 2004 au 11 juin 2004
Drouhin H.-J., Fishman G., Rougemaille N., Richard S. »Extraordinary tunnel effect »SPIE Photonics West Conference, Quantum sensing and nanophotonic devices, San Jose, Californie, USA, du 25 janvier 2004 au 29 janvier 2004;
in SPIE proceedings series, vol. 53-59, p. 456, 13 pages, 2004Ed. Razeghi et Brown
Enciso M., Zerounian N., Long S., Crozat P., Aniel F. »Modélisation et performances en bruit de HFET SiGe »Workshop Action Spécifique « Bruit » (AS-Bruit), La Grande Motte, France, du 07 juin 2004 au 08 juin 2004
Long S., Crozat P., Aniel F., Kahn M., Riet M., Berdager P., Godin J. »Etude de bruit haute fréquence de TBH InP »Workshop Action Spécifique « Bruit » (AS-Bruit), La Grande Motte, France, du 07 juin 2004 au 08 juin 2004
Rodriguez M., Zerounian N., Aniel F., Hackbarth T., Herzog H.-J., König U. »Bruit basse fréquence dans les HFET Si/SiGe »Workshop Action Spécifique « Bruit » (AS-Bruit), La Grande Motte, France, du 07 juin 2004 au 08 juin 2004
Chevalier P., Fellous C., Rubaldo L., Dutartre D., Laurens M., Jagueneau T., Leverd F., Bord S., Richard C., Lenoble D., Bonnouvrier J., Marty M., Perrotin A., Gloria D., Saguin F., Barbalat B., Beerkens R., Zerounian N., Aniel F., Chantre A. »230 GHz self-aligned SiGeC HBT for 90 nm BiCMOS technology »IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM 2004), Montréal, Canada, du 13 septembre 2004 au 14 septembre 2004;in IEEE Proceedings Series, vol. -, p. 225, 4 pages, 2004 ISBN 0-7803-8618-3
Enciso M., Aniel F., Hackbarth T. »Comportamiento y modelado en ruido de TEC de SiGe: para aplicaciones en Telecomunicaciones »IEEE ROOC&C 2004, Acapulco Gro. Mexico, du 18 novembre 2004 au 23 novembre 2004nciso M., Aniel F., Hackbarth T. »Funcionamiento en microondas de transistores de efecto de campo de heteroestructura a base de SiGe: Estado del Arte y perspectivas »8° CONGRESO NACIONAL EN INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA Y DE SISTEMAS, Mexico D.F., du 15 novembre 2004 au 19 janvier 2004
Sirbu M., Lepaul S., Aniel F. »Analyse d'un photocommutateur THz à l'aide d'un modèle électromagnétique complet couplé au transport électronique. »Journées Nationales Microondes (JNM), Nantes, du 11 juin 2005 au 13 juin 2005
Rodriguez M., Enciso M., Giguerre L., Zerounian N., Crozat P., Aniel F., Hackbarth T., Herzog H.-J., Konig U. »Modélisation et comportement en bruit de HFET SiGe. »Journées Nationales Microondes (JNM), Nantes, du 11 juin 2005 au 13 juin 2005
Zerounian N., Rodriguez M., Aniel F., Barbalat B., Chevalier P., Martinet B., Chantre A. »Comportement à température cryogénique variable de TBH SiGeC. »Journées Nationales Microondes (JNM), Nantes, du 11 juin 2005 au 13 juin 2005
Enciso M., Zerounian N., Crozat P., Hackbarth T., Herzog H.-J., Aniel F. »HF Noise Performance and Modelling of SiGe HFETs. »18th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF2005), Salamanca, Espagne, du 19 septembre 2005 au 23 septembre 2005;in AIP Conference Proceeding, vol. 780, p. 287, 4 pages, 2005
Rodriguez M., Zerounian N., Herzog H.-J., Hackbarth T., Aniel F. »Low Frequency Noise in Si/SiGe HFET. »18th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF2005), Salamanca, Espagne, du 19 septembre 2005 au 23 septembre 2005;
in AIP Conference Proceeding, vol. 780, p. 283, 4 pages, 2005
Barbalat B., Schwartzmann T., Chevalier P., Jagueneau T., Vandelle B., Rubaldo L., Saguin F., Zerounian N., Aniel F., Chantre A. »Deep Trench Isolation Effect on Self-Heating and RF Performances of SiGeC HBTs. »35th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2005), Grenoble, du 12 septembre 2005 au 16 septembre 2005;in Proceeding IEEE 2005 – IEEE Catalog Number 05EX1087, vol. 05EX1087, p. 129, 4 pages, 2005
Richard S., Zerounian N., Boucaud P., Ortega J., Hackbarth T., Herzog H.-J., Aniel F. »Detection of THz Electromagnetic Radiation with Si/SiGe HFET. »35th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2005), Grenoble, du 12 septembre 2005 au 16 septembre 2005;in Proceeding IEEE 2005 – IEEE Catalog Number 05EX1087, vol. 05EX1087, p. 363, 4 pages, 2005
Huygue S., Bechou L., Zerounian N., Deshayes Y., Aniel F., Denolle A., Laffitte D., Goudard J., Danto Y. »Electroluminescence spectroscopy for reliability investigations of 1.55 µm bulk semiconductor optical amplifier. »16th European Symposium Reliability of Electron Device, Failure Physics and Analysis (ESREF2005), Arcachon, du 10 octobre 2005 au 14 octobre 2005Communication désignée « Best Paper Award » de la conférence ESREF 2005.
Lepaul S., Yang N., Aniel F. »Numerical Simulations of Heat Effects compared to Measurements in Saturable Absorbers »COMSOL MultiPhysics Conference, Paris, du 15 novembre 2005 au 15 novembre 2005Actes de la conférence, pages 121-126
Enciso Aguilar M., Acevedo Mosqueda M., Aniel F. »Transistores de Heteroestructura de SiGe para aplicaciones en telecomunicaciones »Congreso Internacional Investigación Científica JovenCiencia 2005, La Habana, Cuba, du 18 avril 2005 au 22 avril 2005
Aniel F., Richard S. »Influence des contraintes sur les propriétés électroniques et optiques des semi-conducteurs »Ecole d’été du CNRS « Contraintes internes », Nant, Aveyron, du 18 septembre 2005 au 23 septembre 2005Cours de 2H30 de l’école d’été du CNRS « Contraintes internes ».
Zerounian N., Enciso-Aguilar M., Hackbarth T., Herzog H.-J., Aniel F. »Parasitic Electrostatic Capacitances in Si/SiGe n-HFET »2nd International SiGe & Ge: Materials, Processing, and Device Symposium, Cancun, Mexique, du 29 octobre 2006 au 03 novembre 2006;in ECS Transactions SiGe & Ge: Materials, Processing, and Devices, vol. 3, num. 7, p. 989, 11 pages, 2006
Barbalat B., Judong F., Rubaldo L., Chevalier P., Proust M., Richard C., Borot G., Vandelle B., Saguin F., Dutartre D., Zerounian N., Aniel F., Chantre A. »Experimental Study of Metallic Emitter SiGeC HBTs »IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Maastricht, Netherlands, du 08 octobre 2006 au 10 octobre 2006;in IEEE Proceedings BCTM 2006, vol. 1, p. 251, 4 pages, 2006 ISBN 1-4244-0458-4 – ISSN 1088-9299
Barbalat B., Schwartzmann T., Chevalier P., Vandelle B., Rubaldo L., Saguin F., Zerounian N., Aniel F., Chantre A. »Carbon effect on neutral base recombination in high-speed SiGeC HBTs »3rd International SiGe Technology and Device Meeting, Princeton, New Jersey, USA, du 15 mai 2006 au 17 mai 2006
Tissafi B., Perret E., Sirbu M., Lepaul S., Zerounian N., Aniel F. »Modélisation 3D des équations de Maxwell et de Boltzmann : rôle du guide d’onde sur la réponse d’un photo-commutateur »11ème Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique (JNMO), Aussois, France, du 04 avril 2006 au 07 avril 2006
Tissafi B., Zerounian N., Lepaul S., Sirbu M., Aniel F. »Modélisation 3D des équations de Maxwell et de Boltzmann : Rôle effectif du temps de vie des porteurs sur la forme des impulsions THz issues d’un photocommutateur excité par un laser fs »Journées couplées GdR THz – GdR Ondes GT5, Montpellier, France, du 05 décembre 2006 au 06 décembre 2006
Serre M.-H., Fishman G., Drouhin H.-J. »Inconsistency of standard k.p band parameters »SPIE, Strasbourg, du 02 janvier 2006 au 06 janvier 2006;
in SPIE proceedings series, vol. 6195, 61951B, 6 pages, 2006
Veksler D., Pala N., Aniel F., Rumyantsev S., Hu X., Fareed R., Shur M., Gaska R. »GaN Heterodimensional Schottky Diode for THz Detection »IEEE 5th Conference on Sensors, Daegu, Corée du Sud, du 22 octobre 2006 au 25 octobre 2006;
in Proceedings of the 5th IEEE Conference on Sensors, 2006, vol. 1, p. 323, 4 pages, 2007 ISBN 1-4244-0376-6 – ISSN 1930-0395
Chevalier P., Barbalat B., Laurens M., Vandelle B., Rubaldo L., Geynet B., Voinigescu S., Dickson T., Zerounian N., Chouteau S., Dutartre D., Monroy A., Aniel F., Dambrine G., Chantre A. »High-Speed SiGe BiCMOS Technologies: 120-nm Status and End-of-Roadmap Challenges »7th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF07), Long Beach Convention Center, Long Beach, USA, du 10 janvier 2007 au 12 janvier 2007;in Conf. Proceeding IEEE, vol. 1, p. 12, 6 pages, 2007 ISBN 0-7803-9765-7
Ramirez Garcia E., Zerounian N., Aniel F., Barbalat B., Chevalier P., Chantre A. »Performances voisines de 500 GHz de TBH Si/SiGe:C/Si à basse température »15èmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2007), Toulouse, du 23 mai 2007 au 25 mai 2007
Tissafi B., Lepaul S., Zerounian N., Aniel F. »Modélisation 3D des équations de Maxwell et de Boltzmann : rôle effectif du temps de vie des porteurs sur la forme des impulsions THz issues d’un photo-commutateur excité par un laser fs »15èmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2007), Toulouse, du 23 mai 2007 au 25 mai 2007
Zerounian N., Ramirez Garcia E., Aniel F., Barbalat B., Chevalier P., Chantre A. »Electrostatic Capacitances of High-Speed SiGe HBT »2nd European Microwave Integrated Circuits (EuMIC) Conference, Munich, Germany, du 08 octobre 2007 au 09 octobre 2007;in Proceedings of the 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, vol. 1, p. 56, 4 pages, 2007ISBN 978-2-87487-002-6 – European Microwave Week (EuMW) 2007
Chevalier P., Zerounian N., Barbalat B., Aniel F., Chantre A. »On the use of cryogenic measurements to investigate the potential of Si/SiGe:C HBTs for terahertz operation »IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM 2007), Boston, USA, du 30 septembre 2007 au 03 octobre 2007;in Proceedings of the 2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, vol. 1, p. 26, 4 pages, 2007 ISBN 978-1-4244-1019-4 – ISSN 1088-9299
Perret E., Zerounian N., Aniel F. »Caractérisation de la permittivité complexe du Benzocyclobutène pour applications Terahertz »19ème Colloque International Optique Hertzienne et Diélectriques, Valence, France, du 05 septembre 2007 au 07 septembre 2007
Ramirez Garcia E., Zerounian N., Aniel F., Enciso Aguilar M., Barbalat B., Chevalier P., Chantre A. »Germanium Profile, Graduality and Base Doping Level Influences in the Performance of SiGe HBT »International Semiconductor Device Research Symposium, College Park, Maryland, USA, du 12 décembre 2007 au 14 décembre 2007;in IEEE Conference Proceedings Series, vol. 1, TP2-05, 2 pages, 2007 ISBN 978-1-4244-1892-3; IEEE Catalog Number CFP07511-CDR.
Aniel F. »Modélisation du transport et de l’électromagnétisme dans les composants THz : cas du photocommutateur »Journées thématiques sur la simulation multiphysique du GdR Nanoélectronique, Villeneuve d’Ascq, du 06 décembre 2007 au 07 décembre 2007
Drouhin H.-J., Wegrowe J.-E., Nguyen T. L. H., Fishman G. »Spin-dependent tunneling through a spin-orbit-split barrier »Quantum Sensing and Nanophotonic Devices IV, San Diego, du 02 février 2007 au 06 février 2007;in SPIE proceedings series, vol. 6479, 64790A, 5 pages, 2007
Zerounian N., Ramirez Garcia E., Aniel F., Chevalier P., Geynet B., Chantre A. »SiGe HBT featuring fT > 600GHz at cryogenic temperature »2008 SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Honolulu, Hawaii, USA, du 12 octobre 2008 au 17 octobre 2008;in ECS Transactions, vol. 16, num. 10, p. 1069, 9 pages, 2008 ISBN 978-1-56677-656-1 ISSN 1938-6737 DOI 10.1149/1.2986869
Ramirez-Garcia E., Zerounian N., Chevalier P., Chantre A., Aniel F. »SiGe HBT at Cryogenic Temperatures Towards Terahertz Performances »8th International Workshop on Low Temperature Electronics, Jena/Gabelbach, Germany, du 22 juin 2008 au 25 juin 2008
Geynet B., Chevalier P., Vandelle B., Brossard F., Zerounian N., Buczko M., Gloria D., Aniel F., Dambrine G., Danneville F., Dutartre D., Chantre A. »SiGe HBTs featuring fT >400GHz at room temperature »IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM 2008), Monterey, CA, USA, du 13 octobre 2008 au 16 octobre 2008;in IEEE Proceedings Series, vol. -, p. 121, 4 pages, 2008 ISBN 978-1-4244-2725-3
Tissafi B., Grimault A.-S., Aniel F. »Effect of InGaAs surface states and interfaces on the photo-generated THz pulse shape »33rd International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2008), Pasadena, California, USA, du 15 septembre 2008 au 19 septembre 2008;in IEEE – Proceedings IRMMW-THz 2008, vol. 1, p. 1, 2 pages, 2008DOI 10.1109/ICIMW.2008.4665868
Ramirez-Garcia E., Michaillat M., Zerounian N., Crozat P., Chevalier P., Chantre A., Aniel F. »Etude expérimentale et modélisation de TBH SiGe »16èmes Journées Nationales Micro-ondes (JNM2009), Grenoble, du 27 mai 2009 au 29 mai 2009
Michaillat M., Rideau D., Aniel F., Tavernier C., Jaouen H. »Monte Carlo-based analytical models for electron and hole electrical parameters in strained SiGeC Alloys »International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2009), San Diego, Californie, USA, du 09 septembre 2009 au 11 septembre 2009;in Proceeding of IEEE SISPAD 2009, vol. 1, p. 55, 4 pages, 2009 ISBN 978-1-4244-3947-8
Hamzeh H., Tea E., Aniel F. »Monte Carlo study of phonon relaxation in III-V compounds accounting for all the different individual 3-phonon processes » Material Research Society (MRS) 2009 Fall Meeting, Boston, USA, du 30 novembre 2009 au 04 décembre 2009;in Materials Research Society symposium proceedings, vol. 1221E, CC7.9, 6 pages, 2009 MRS Online Proceedings – MRS Fall09 Phonon Engineering for Enhanced Materials Solutions – Theory and Applications (Volume 1221E, Warrendale, PA, 2010). Paper 1221-CC07-09. DOI 10.1557/PROC-1221-CC07-09
Michaillat M., Rideau D., Aniel F., Tavernier C., Jaouen H. »Monte Carlo simulation of high-energy transport of electrons and holes in bulk SiGeC alloys »16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON16), Montpellier, du 24 août 2009 au 28 août 2009;
in Journal of Physics: Conference Series, vol. 193, p. 012037, 4 pages, 2009 DOI 10.1088/1742-6596/193/1/012037
Michaillat M., Rideau D., Aniel F., Tavernier C., Jaouen H. »Full-Band Monte Carlo investigation of hole mobilities in SiGe, SiC and SiGeC alloys »European Material Research Society (E-MRS) 2009 Spring Meeting – Symposium I : Silicon and Germanium issue for future CMOS devices, Strasbourg, du 08 juin 2009 au 12 juin 2009; in Thin solid films, vol. 518, num. 9, p. 2437, 5 pages, 2009 DOI 10.1016/j.tsf.2009.10.147
Tea E., Aniel F. »Minoritary transport in heavily doped p-type GaAsSb and InGaAs » Material Research Society (MRS) 2009 Fall Meeting, Boston, USA, du 30 novembre 2009 au 04 décembre 2009; in MRS online proceedings, vol. 1230E, MM6.6, 6 pages, 2009 MRS Online Proceedings – MRS Fall09 Ultrafast Processes in Materials Science (Volume 1230E). Paper 1230-MM06-06. DOI 10.1557/PROC-1230-MM06-06
Tissafi B., Perret E., Grimault-Jacquin A.-S., Aniel F. »Coplanar waveguide characterization for terahertz photo-generation »5èmes Journées Térahertz, Villeneuve d'Ascq, France, du 10 juin 2009 au 12 juin 2009
Tea E., Aniel F. »Monte Carlo modelisation of photoexcited carriers relaxation including Auger effect in narrow band gap InGaAs »Material Research Society (MRS) 2009 Fall Meeting, Boston, USA, du 30 novembre 2009 au 04 décembre 2009;
in MRS online proceedings, vol. 1230E, MM6.5, 6 pages, 2009MRS Online Proceedings – MRS Fall09 Ultrafast Processes in Materials Science (Volume 1230E). Paper 1230-MM06-05. DOI 10.1557/PROC-1230-MM06-05
Zerounian N., Diallo M., Aniel F., Chevalier P., Chantre A. »fmax increase to 500 GHz of SiGe HBTs at low temperature »4th International SiGe & Ge: Materials, Processing, and Device Symposium of the Joint International Meeting of the 218th Meeting of ECS, Las Vegas, Nevada, USA, du 10 octobre 2010 au 15 octobre 2010;
in ECS Transactions, vol. 33, num. 6, p. 311, 8 pages, 2010DOI 10.1149/1.3487561
Tissafi B., Grimault-Jacquin A.-S., Aniel F. »Optimization of THz pulses emitted by an InGaAs photoconductive switch »35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2010), Rome, Italie, du 05 septembre 2010 au 10 septembre 2010;in Proceedings of the International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2010, vol. 1, p. 1, 3 pages, 2010 ISBN 978-1-4244-6655-9 – DOI 10.1109/ICIMW.2010.5612435
Grimault-Jacquin A.-S., Tissafi B., Aniel F. »Optimisation de l’impulsion THz émise par un photo-commutateur d’InGaAs »13ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique, Les Issambres, France, du 28 septembre 2010 au 01 octobre 2010
Aniel F., Richard S., Tea E., El Kurdi M., Sauvage S., Boucaud P., Fishman G. »The k.p theory beyond standard 8-band theory parametrization strategies and its applicability in electronics and optoelectronic devices design »CECAM – Empirical methods in semiconductor nano-structures design and modelling, University of Manchester, United Kingdom, du 20 juin 2010 au 25 juin 2010
Hamzeh H., Aniel F. »Etude Monte Carlo de la dynamique et du transport des phonons »13ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique, Les Issambres, France, du 28 septembre 2010 au 01 octobre 2010
Grimault-Jacquin A.-S., Tissafi B., Perret E., Aniel F. »Synthèse des pertes dans un guide coplanaire Térahertz »17èmes Journées Nationales Microondes, Brest, du 18 mai 2011 au 20 mai 2011
Grimault-Jacquin A.-S., Tissafi B., Aniel F. »Optimisation de l’impulsion THz émise par un photo-commutateur d'InGaAs »17èmes Journées Nationales Microondes, Brest, du 18 mai 2011 au 20 mai 2011
Cao L., Grimault-Jacquin A.-S., Aniel F. »Resonant terahertz detection of 2DEG with grating coupler »36th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Houston, USA, du 02 octobre 2011 au 07 octobre 2011;
in Proceedings (ISSN: 2162-2027; E-ISBN: 978-1-4577-0508-3; Print ISBN: 978-1-4577-0510-6), vol. 1, p. 1, 2 pages, 2011DOI 10.1109/irmmw-THz.2011.6104793
Quiroga A., Aniel F., Tavernier C., Zerounian N., Jaouen H. »TCAD simulation for advanced terahertz SiGeC HBTs »1st International Conference on Solid-State and Integrated Circuit (ICSIC 2012), Singapore, du 17 mars 2012 au 18 mars 2012;in IPCSIT Proceedings, vol. 32, p. 7, 5 pages, 2012DOI 10.7763/IPCSIT
Ramirez-Garcia E., Aniel F., Enciso-Aguilar M., Zerounian N. »Intrinsic transit times and noise transport time study of Si/SiGe:C Heterejunction Bipolar Transistors »7th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Amsterdam, The Netherlands, du 29 octobre 2012 au 30 octobre 2012;in EuMIC Conf. Proceedings, vol. 1, p. 175, 4 pages, 2012
Grimault-Jacquin A.-S., Cao L., Aniel F., Delage S., Poisson M.-A., Sagnes I., Le Gratiet L. »Optimal structure for Resonant THz Detection of Plasmons-Polaritons in the 2D quantum wells »7th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Amsterdam, The Netherlands, du 29 octobre 2012 au 30 octobre 2012;in EuMIC Conf. Proceedings, vol. 1, p. 80, 4 pages, 2012
Grimault-Jacquin A.-S., Cao L., Aniel F. »Optimal structure for Resonant THz Detection of Plasmons-Polaritons in the 2D quantum wells »3th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META12), Paris, du 19 avril 2012 au 22 avril 2012
Grimault-Jacquin A.-S., Cao L., Aniel F. »Optimisation de la détection THz via les résonances de plasmon-polariton dans les puits quantiques »Journée annuelle du club Optique et Microondes (JCOM 2012), Lille, du 14 juin 2012 au 14 juin 2012
TEA E., HAMZEH H., ANIEL F. »Full-band Monte Carlo solution of the Boltzmann Transport equation for electrons, holes and phonons, applied to ultrafast III-V semiconductor devices and solar cells » Coupled WOCSDICE/EXMATEC 2012 Conference, Porquerolles, France, du 28 mai 2012 au 01 juin 2012
ANIEL F., GRIMAULT-JACQUIN A.-S., CAO L., N. ZEROUNIAN Plasmonic based detectors and waveguides in the 0.5 à 1.5 THz frequency range”, GDR I. THZ, Montpellier, 9-11 dec. 2013
H. SPISSER, A.-S. GRIMAULT-JACQUIN, N. ZEROUNIAN, A. AASSIME, F.ANIEL, L. CAO,F. BOONE,H. MAHER, Y. CORDIER, « AlGaN/GaN THz resonant plasmonic detectors with symmetric and asymmetric pattern deposited above homogeneous and inhomogeneous 2DEG » DOI: 10.1109/GSMM.2015.7175462 Conference: Millimeter Waves (GSMM), 2015 Global Symposium On, At Montreal (Qc), Canada