Mardi 28 septembre 2010 après-midi et soirée : accueil des participants
Mercredi 29 septembre au vendredi 1er octobre 2010 midi : déroulement scientifique
Comme pour les éditions précédentes, les journées seront structurées autour de présentations orales invitées et de séances posters :
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La thématique est indiquée entre parenthèses :
Daniel BENSAHEL, ST Microelectronics Crolles (Composants élec. et intégratio...)
Nouveaux matériaux pour la partie active des dispositifs de la microélectronique CMOS silicium
Daniel DOLFI, Thales TR&T Palaiseau (Composants et technologies THz)
Technological bricks and concepts for THz remote sensing
Jean-Marc FÉDÉLI, CEA LETI Grenoble (Composants et circuits opto-électroniques)
Routes pour l'intégration de circuits photoniques silicium sur circuits électroniques
Bernard JUSSERAND, INSP Paris (Micro et nanophotonique, cristaux photo., métamat...)
Son et lumière ou comment manipuler les phonons acoustiques et les photons
dans des nanostructures de semiconducteurs
Renaud BACHELOT, UTT Troyes (Micro et nanophotonique, cristaux photo., métamat...)
Plasmons et Nanosources Optiques
Aristide LEMAÏTRE, LPN Marcoussis (Nouveau matériaux et nanostructures)
GaMnAs, un semiconducteur ferromagnétique
Christian SEASSAL, INL Lyon (Micro et nanophotonique, cristaux photo., métamat...)
Lumière lente dans les cristaux photoniques : de la nanophotonique active au solaire photovoltaïque
Aloyse DEGIRON, IEF Orsay (Micro et nanophotonique, cristaux photo., métamat...)
Métamatériaux et transformations d'espace
Ivan FAVERO, MPQ Paris (Micro-nanotechnologies et systèmes)
Optomécanique: photons et oscillateurs mécaniques en interaction
Aurélien BANCAUD, LAAS Toulouse (Micro-nanotechnologies et systèmes)
Utilisation de la micro et nanofluidique pour l'observation de biomolécules individuelles et pour la manipulation de nano-objets à grande échelle
Martin HYTCH, CEMES Toulouse (Carac. structurales, optiques et électriques et ...)
Measuring strain in nanostructures and devices by dark-field electron holography
Jacqueline BLOCH, LPN Marcoussis (Physique des structures de basse dim.)
Les polaritons de cavité: des condensats à l'état solide
Guy FEUILLET, CEA LETI Grenoble (Composants et circuits optoélectroniques)
LEDs pour l'Eclairage à l'Etat Solide : limites actuelles et solutions envisageables
Riad HAÏDAR, ONERA Palaiseau (Nouveau matériaux et nanostructures)
Détecteur infrarouge à base de films de nanotubes de carbone mono-feuillets
Stéphane COLLIN, LPN Marcoussis (Photovoltaïque)
Vers des cellules solaires ultrafines
Dominique VUILLAUME, IEMN Lille (Physique des structures de basse dim.)
Transport électronique dans les jonctions moléculaires: récentes réponses à de "vieux" problèmes
Arnaud GARNACHE, IES Montpellier (Composants et circuits opto-électroniques)
High-power highly-coherent single-frequency compact semiconductor laser for photonic applications
Claire BERGER, Institut Néel (Nouveaux matériaux et nanostructures)
Le graphène épitaxié pour une électronique à base carbone
Fabrice SEMOND, CRHEA Valbonne (Nouveaux matériaux et nanostructures)
Microcavités GaN et ZnO intégrées sur silicium
Roland TEISSIER, IES Montepellier (Composants élec. et intégration, micro-nanoélec...)
Le QHET, transistor à électrons chauds à base d'InAs : vers un transport vertical résonant ultra-rapide
Claude CHAPPERT, IEF Orsay (Composants élec. et intégration, micro-nanoélec...)
Electronique de spin : de la mémoire magnétique aux circuits logiques non volatiles
Tous les résumés déposés sont acceptés pour les séances posters.
P1 - Etude de nanocristaux de Ge par la technique Nano EBIC et C-AFM
présenté par Quang-Tri Doan et Abdelillah El Hdiy, LMEN (EA3799), URCA
P2 - Boites quantiques GaN/AlN semi-polaires pour l'émission dans l'ultraviolet
présenté par A.Kahouli, N. Kriouche, CNRS- CRHEA
P3 - Epitaxie de graphène sur 6H et 3C-SiC par CVD-propane
présenté par Adrien Michon, CRHEA - CNRS
P4 - Croissance par Epitaxie par Jets Moléculaires de Boîtes quantiques d’In(Ga)As sur un substrat de Si(100)
présenté par Ahiram El Akra, Institut des Nanotechnologies de Lyon
P5 - Laser moyen infra-rouge à base de super-réseau à courte période InAs/GaSb/InSb pour émission dans la gamme 3 – 3,5 µm
présenté par Alban Gassenq, Université Montpellier 2 - IES
P6 - Photodétecteur UV aveugle à la lumière du jour à base d’ensembles de nanofils de GaN
présenté par Andrés de Luna Bugallo, IEF
P7 - Hydrothermal growth of high quality, vertically aligned ZnO nanorods on silicon substrate
présenté par Anisha Gokarna, IEMN, Villeneuve D'Ascq
P8 - Fabrication d'étalons quantiques de résistance sur des hétérostructures GaAs/GaAl/As
présenté par Anne-Lise Coutrot , Antonella Cavanna, CNRS/ LPN
P9 - Optimisation de l’impulsion THz émise par un photo-commutateur d’InGaAs
présenté par Anne-Sophie Grimault-Jacquin, IEF/U-PSUD
P10 - Epitaxie directe d'hétérostructures III-V sur silicium en utilisant des templates de SrTiO3/Si
présenté par Azza Chettaoui, INL(Insititut des Nanotechnologies Lyon)
P11 - Circulateur magnéto-optique en grenat à base de cavité circulaire en anneaux
présenté par Beatrice Dagens, IEF, CNRS
P12 - Diodes Laser à puits quantiques de Type I pour Analyse de Gaz Emettant à 3,3 µm à Température Ambiante
présenté par Belahsene Sofiane, IES
P13 - Conception de membranes en polymère pour la micro-optique active sur VCSELs
présenté par Benjamin Reig, LAAS CNRS
P14 - Diodes électroluminescentes InGaN/GaN avec convertisseur de couleur intégré
présenté par Benjamin Damilano, Pierre Demolon, Julien Brault, Thomas Huault, Franck Natali, Jean Massies, CNRS-CRHEA
P15 - Intégration monolithique de semiconducteurs III-V sur Si.
présenté par Benoît Gobaut, Institut des Nanotechnologies de Lyon
P16 - Bruit Optoélectronique des PhotoDiodes à Avalanche pour l’Instrumentation et les Télécommunications.
présenté par Shiraz Ouarets et Bernard Orsal, Bernard ORSAL IES -UM2 Montpellier
P17 - Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of InAsP/InP (001) quantum dots
présenté par Bruno Fain, LPN-CNRS
P18 - Reprise de croissance par épitaxie par jets moléculaires sur GaAs : planéité de surface et luminescence de puits GaInAs-GaAs épitaxiés à proximité de l’interface
présenté par Chantal Fontaine, LAAS - Toulouse
P19 - Design de miroir à réseau sub-longueur d'onde optimisé pour le moyen infrarouge
présenté par Christyves Chevallier, LMOPS Supélec
P20 - Cinétique de croissance des nanofils de Ge via le mécanisme VLS.
présenté par Cyrille Gardès, IEF
P21 - Source Photonique DQPSK/QAM Intégrée sur InP pour les très hauts débits télécoms
présenté par Carrara David, III-V Lab (GIE Alcatel-Thales)
P22 - Micro-optique auto-alignée sur VCSELs par photopolymérisation infra-rouge
présenté par David Barat, LAAS-CNRS
P23 - Caractérisation par méthodes nucléaires avancées de boîtes quantiques d'InAs épitaxiées sur silicium
présenté par David Pelloux-Gervais, Institut des Nanotechnologies de Lyon
P24 - Towards a single photon source at telecommunication wavelength using InAsP/InP quantum dots
présenté par David ELVIRA, LPN
P25 - Homoépitaxie de couches minces de ZnO dopées azote par EJM selon l’orientation (10-10)
présenté par Dimitri Tainoff, CHREA
P26 - Développements technologiques pour VCSELs émettant dans le Moyen Infra Rouge
présenté par Dorian Sanchez, Nanomir
P27 - Optimisation des détecteurs infrarouges à puits quantiques.
présenté par Emmanuel Lhuillier, ONERA
P28 - Laser moyen infra-rouge à base de super-réseau à courte période InAs/GaSb/InSb pour émission dans la gamme 3 – 3,5 µm
présenté par Eric Tournié, IES, Montpellier
P29 - Lasers moyen-infrarouge à base d'antimoine réalisés sur substrats largement désaccordés
présenté par Eric Tournié, IES, Montpellier
P30 - Contrôle fin du procédé d'oxydation de couches AlxGa1-xAs enterrées
présenté par Fares Chouchane, LAAS / CNRS
P31 - Etude des propriétés de films minces de TiON pour la réalisation de Résistances intégrées en technologie CMOS
présenté par Fatiha Challali, IMN-Nantes
P32 - Supraconductivité du silicium dopé par GILD
présenté par Frédéric Fossard, Institut d'Electronique Fondamentale
P33 - Heterogeneous bonding and alignment of III- V Photonic Crystals and Silicon On Insulator wire waveguides
présenté par Grégoire Beaudoin, CNRS - LPN
P34 - Photodétecteur à nanofil unique hétérostructuré GaN/AlN
présenté par Gwénolé Jacopin, IEF
P35 - Etude Monte Carlo de la dynamique et du transport des phonons
présenté par Hani Hamzeh, IEF - Univ. Paris-Sud
P36 - Développement d’une technologie de petite dimension pour transistors à electrons chauds InAs
présenté par Hoang Nguyen Van, Nanomir-IES-Université Montpellier II
P37 - Hybrid III-V Photonic Crystal Cavity Laser on Silicon Wire
présenté par Isabelle Sagnes, CNRS - LPN
P38 - Conception et qualification d’un amplificateur de puissance radiofréquence à base de HEMT GaN
présenté par Jean Baptiste Fonder, ETIS - ENSEA
P39 - Etude des Lasers à Cascades Quantiques InAs/AlSb émettant autour de 3 µm
présenté par Jean-Christophe Moreno, IES _ Univ. Montpellier 2
P40 - “New” II-IV-V2 Ternary Semiconductors for Photovoltaic Applications
présenté par Jean-Louis Lazzari, CINaM-CNRS3118
P41 - II–IV–V2 Chalcopyrite Doped with 3d- Transition Metals for Spintronic Applications
présenté par Jean-Louis Lazzari, CINaM-CNRS3118
P42 - Démonstration d’un VCSEL accordable sur 33 nm émettant à 1,55µm à base de cristal liquide nématique
présenté par Jean-Philippe Gauthier, FOTON - INSA Rennes
P43 - Lasers antimoniures émettant à 1.55 µm sur substrat silicium
présenté par Jean-Rémy Reboul, IES, groupe nanoMIR
P44 - Réalisation d’hétérostructures GaN/ZnO non polaires par épitaxie sous jets moléculaires à source ammoniac
présenté par Julien Brault, CRHEA/CNRS
P45 - Conception de cavités laser à cristaux photoniques en régime d’autocollimation
présenté par Julien Campos, LAAS-CNRS
P46 - Forme, orientation et structure cristalline des nanofils d’InP crus sur Silicium par VLS-EJM
présenté par Khalid Naji, Institut des Nanotechnologies de Lyon
P47 - Etude d'un filtre à réseaux résonnants fonctionnant à 4.65µm
présenté par Kristel CHAN SHIN YU, LAAS - CNRS
P48 - Mécanismes de facettage de nanofils de silicium
présenté par Laetitia Vincent, IEF/CNRS-UPSUD
P49 - Photodétecteur en silicium sur cristal photonique aux longueurs d'onde télécom.
présenté par Laurent-Daniel Haret, Xavier Checoury, Institut d'Electronique Fondamentale
P50 - Nanospectroscopie d’absorption de Boîtes Quantiques uniques InAs/GaAs
présenté par Ahmad Driss, Sébastien Sauvage, Philippe Boucaud, IEF CNRS-Univ Paris-Sud
P51 - Nanospectroscopie d’absorption de microdisques de germanium
présenté par François Réveret, Sébastien Sauvage, Moustafa El Kurdi, Ahmad Driss, Philippe Boucaud, IEF - Orsay
P52 - How dark current densities affect temperature dependencies of open-circuit voltage in polymer-fullerene solar cells?
présenté par Anil K. Thakur, Guillaume Wantz and Lionel Hirsch, IMS - Université de Bordeaux
P53 - Croissance et propriétés optiques de couche mince et nanostructure d’ In2S3:Cu pour les cellules solaires à gap intermédiaire
présenté par Ludovic Arzel, IMN Institut des Matériaux Jean Rouxel
P54 - Nouvel instrument de topographie et cartographie de luminescence simultanées à l’échelle nanométrique
présenté par Maël Dehlinger, CINaM
P55 - Utilisation d'une électrode transparente de nanotube de carbone élaborée par une méthode innovante dans les cellules photovoltaïques organiques
présenté par Mahfoudh Raissi, Laboratoire IMS-site ENSCBP
P56 - Hétérostructures quantiques à contrainte compensée Si1-xGex/Si(001) pour application à la photodétection infrarouge
présenté par Mahfoudh Raissi, Laboratoire IMS-site ENSCBP
P57 - Evidence d’une transition résistive dans des couches minces GaV4S8: un nouveau matériau pour de futures applications RRAM
présenté par Marie-Paule Besland, Institut des Matériaux (IMN) Nantes
P58 - Evaluation des caractéristiques électriques de capacités MOS à base d’oxyde High-κ
présenté par Michèle Carette, Institut des Matériaux Jean Rouxel - IMN
P59 - Mechanical tensile strain engineering of Ge for gain achievement
présenté par Malo de Kersauson, IEF CNRS/ Univ. paris sud
P60 - Techniques de croissance pour améliorer la qualité des couches de GaN semipolaires (11-22) par EPVOM
présenté par Nasser Kriouche, CRHEA
P61 - Déclenchement d’un laser à cascade quantique par injection d’impulsions térahertz
présenté par Jukam, Nathan, Laboratoire Pierre Aigrain, ENS
P62 - Analyse de surface pour l'optimisation des photodétecteurs infrarouges à superréseaux InAs/GaSb
présenté par Ngoc-Chang Quach-Vu, LPN
P63 - Magnetotransport in quantum cascade detectors: analyzing the current under illumination
présenté par Nicolas Péré-Laperne, LPN-CNRS
P64 - Croissance par épitaxie MOVPE de couche InP dopé Ruthénium et application à une structure laser
présenté par Olivier Patard, Alcatel-Lucent Thalès 3-5 Lab
P65 - Méthode modale B-spline pour le calcul de structures sub-longeur d'onde
présenté par Patrick Bouchon, LPN / CNRS
P66 - Conception de dispositifs électromagnétiques par transformations optiques
présenté par Paul-Henri Tichit, Institut d'Electronique Fondmentale
P67 - Mesure de diagramme de dispersion à haute résolution de métamatériaux optiques
présenté par Petru Ghenuche, ONERA/LPN-CNRS
P68 - Propriétés électriques de photodiodes Infrarouges à superréseaux InAs/GaSb
présenté par C. Cervera, J.B. Rodriguez, P. Christol, IES-Nanomir
P69 - Adaptateur de mode conçu par la transformation d'espace
présenté par Rasta Ghasemi, IEF
P70 - Growth of Germanium by MOVPE for photovoltaic applications
présenté par Roberto Jakomin, LPN
P71 - Simulation et caractérisation d'hétérostructures réalisées par épitaxie sélective
présenté par Ronan Guillamet, Alcatel-Thalès III-VLab
P72 - Détecteur à cascade quantique opérant à 1.5 μm
présenté par Salam Sakr, IEF
P73 - Tailoring GaAs THz radiatives properties with Surface Phonons Polaritons
présenté par Simon Vassant, Institut d'Optique
P74 - Membranes métalliques nanostructurées : transmission quasi-parfaite de la lumière, application à l'imagerie multi-spectrale
présenté par Stéphane Collin, Riad Haïdar, LPN/CNRS
P75 - Fabrication et étude optique de structures à cristaux photoniques en AlN pour l’émission UV
présenté par Sylvain David, IEF / Univ. Paris Sud
P76 - Electrical Behavior of GaN-HEMT after Fluoride Plasma Treatment
présenté par Thi Dak Ha NGUYEN, LPN-CNRS
P77 - Improved Quantum Well Hall Sensor Process for Micromagnetometry
présenté par Vincent Mosser, Itron SAS, Malakoff
P78 - Hétérostructures MnGe/Ge: Nouveaux matériaux ferromagnétiques à haute TC pour application en spintronique
présenté par Vinh Le Thanh, CINaM - Marseille
P79 - Stabilisation spectrale d’une diode laser par un filtre à réseau résonant
présenté par Xavier Buet, LAAS-CNRS
P80 - Purcell-enhanced spontaneous Raman emission and stimulated Raman emission in silicon photonic crystal cavities
présenté par Xavier Checoury, Institut d'Électronique Fondamentale
P81 - Strong exciton-photon coupling in microcavities containing new two-dimensional fluorophynethylamine based perovskite compounds
présenté par Yi Wei, LPQM, ENS Cachan
P82 - Oxydation thermique humide d’alliages AlAsSb sur substrat GaSb
présenté par Youness Laaroussi, Guilhem Almuneau, LAAS / CNRS
P83 - Silicon photonic crystal cavities with Q factor up to 2 million
présenté par Zheng Han, Institut d'Électronique Fondamentale
P84 - Confinement latéral par diaphragme d'oxyde de composants à émission verticale à base d'antimoine pour le moyen infrarouge
présenté par Y. Laaroussi, D. Belharet, M. Mazas, S. Pinaud, G. Almuneau, Institut d'Electronique du Sud, Université Montpellier II
P85 - Croissance HVPE et VLS-HVPE de nanofils et nanostructures de semiconducteurs III-V présenté par K. Lekhal, A. Trassoudaine, LASMEA Clermont-Ferrand