ECTS
3
Modalités d’organisation et de suivi :
Coordinateur :Bournel Arnaud
Déroulement et organisation pratique :Contrôle des connaissances par examen écrit.
Objectifs pédagogiques visés :
Contenu :Objectifs :
Etude via la physique de l’état solide des matériaux utilisés pour leurs propriétés semi-conductrices. Les principes de fonctionnement des composants de base de la microélectronique seront décrits.
Etude via la physique de l’état solide des matériaux utilisés pour leurs propriétés semi-conductrices. Les principes de fonctionnement des composants de base de la microélectronique seront décrits.
Contenu :
– Introduction, matériaux de base et réseaux cristallin
– Propriétés vibratoires d’un réseau cristallin (phonons)
– Structure électronique de bandes d’énergie
– Niveaux d’énergie introduits par les impuretés
– Densité de porteurs de charge dans un semiconducteur
– Transport et phénomènes hors d’équilibre
– Jonction PN, diode Schottky
– Transistors bipolaires, application à l’amplification
– Transistors à effet de champ, application à l’inverseur logique CMOS.
Prérequis :Connaissances de base en mécanique quantique, en physique des solides, en électronique.
Bibliographie :– C. Kittel, Introduction à la physique de l’état solide (ou Wiley en langue anglaise) – P.Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of semiconductors, Springer – S. M. Sze, Physics of semiconductor devices, Wiley – Nanoscience : Nanotechnologies et Nanophysique, edité par C. Dupas, P. Houdy, M. Lahmani, Belin (Springer en langue anglaise).
Période(s) et lieu(x) d’enseignement :
Période(s) :Septembre – Octobre – Novembre.
Lieu(x) :PALAISEAU