4. Thesis defense

  • ENCISO M. »Analyse expérimentale et modélisation électrique de n-HFET et p-HFET sur SiGe. »Thèse, Université Paris Sud 11, 2003.Thèse de Physique, Université Paris Sud 11, 4 septembre 2003.
  • ABBOUN M.« Caractérisation et modélisation de Transistor Bipolaire à double Hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit. »Thèse, Université Paris Sud 11, 2003.20 juin 2003
  • Khan M.« Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et caractérisation »Thèse, Université Paris Sud 11, 2004.2 Juin 2004, IEF, Orsay
  • Richard S. »Modélisation physique de la structure électronique, du transport et de l’ionisation par choc dans les matériaux IV-IV massifs, contraints et dans les puits quantiques. »Thèse, Université Paris-Sud 11, 2004.
  • Sirbu M.« Couplage des équations de Maxwell avec l’équation de Boltzmann en 3 dimensions, appliqué à la modélisation d’un photocommutateur TeraHertz »Thèse, Université Paris Sud 11, 2005.Soutenue le 30 novembre 2005 devant F. Aniel (directeur de thèse), S. Lepaul (co-encadrant), L. Chusseau (rapporteur), C. Dalle (rapporteur), A. Reineix (Président du Jury), et L. Pichon.
  • Rodriguez M.« L’analyse du bruit basse fréquence dans les composants SiGe »Thèse, Université Paris Sud 11, 2005.Thèse soutenue le 15 décembre 2005 devant F. Aniel (directeur de thèse), N. Malbert (rapporteur), F. Pascal (rapporteur), J.-C. Carru, P. Crozat et N. Zerounian.
  • Barbalat B.« Technologie et physique de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC auto-alignés à très hautes performances »Thèse, Université Paris-Sud 11, 2006.Soutenue le 22 décembre 2006, IEF, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), P. Ashburn (rapp.), A. Chantre, P. Chevalier (co-dir. ST), F. Danneville, S. Delage (rapp.), R. Plana, et N. Zerounian. CIFRE STMicroelectronics Crolles R&D.
  • Michaillat M.« Paramètres matériau pour la simulation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe et Si/SiGeC »Thèse, Université Paris-Sud 11, 2010.Soutenue le 10 février 2010, IEF, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), M. Mouis, P. Palestri (rapp.), D. Rideau (co-dir. ST), J.-L. Thobel (rapp.) et L. Varani. – CIFRE STMicroelectronics Crolles R&D.
  • Tissafi B.« Résolution couplée des équations de l'électromagnétisme et du transport en 3D pour des applications THz : Modélisation et optimisation d’un photocommutateur en InGaAs »Thèse, Université Paris-Sud 11, 2010.Soutenue le 9 décembre 2010, IEF, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), C. Dalle (rapp.), A. De Rossi, C. Gaquière, S. Lepaul et E. Richalot (rapp.).
  • NGUYEN Thi Lam H. »Propriétés de spin des états évanescents et effet tunnel dans les semi-conducteurs »Thèse, Université Paris-Sud 11, 2010.Soutenue le 21 janvier 2010
  • Ramirez-Garcia E.« Analyse expérimentale et modélisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires à hétérojonctions SiGe:C et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences »Thèse, Université Paris-Sud, 2011.Soutenue le 20 juin 2011, IEF, Orsay ; Jury : C. Algani, F. Aniel (co-dir. thèse), F. Danneville (rapp.), M. Enciso-Aguilar, C. Maneux (rapp.), et N. Zerounian (dir. thèse).
  • Tea E.« Résolution de l’équation de transport de Boltzmann par une approche Monte Carlo (Full-Band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides »Thèse, Université Paris-Sud, 2011.Soutenue le 16 décembre 2011, IEF, Orsay ; Jury : F. Aniel (dir. thèse), S. Boyer-Richard, P. Dollfus, J.-L. Farvacque (rapp.), J.-F. Guillemoles, et J.-L. Thobel (rapp.).
  • HAMZEH H.« Résolution de l’équation de transport de Boltzmann pour les phonons et applications »Thèse, Université Paris-Sud, 2012.Soutenue le 13 décembre 2012, IEF, Orsay ; Jury : F. Aniel (dir. thèse), P. Dollfus, R. Ferreira (rapp.), J.-L. Thobel, et S. Volz (rapp.).
  • CAO L.« Optimisation de la détection THz par plasmons bidimensionnels dans des hétérostructures et de la propagation THz dans des guides d’onde planaires » Thèse, Université Paris-Sud, 2013.Soutenue le 1 février 2013, IEF, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), D. Coquillat (rapp.), B. Dagens, P. Ferrari, A.-S. Grimault-Jacquin (co-encad.) et J.-F. Lampin (rapp.).
  • QUIROGA A. »Recherche et développement de transistors bipolaires avancés par le biais de la modélisation technologique »Thèse, Université Paris-Sud, 2013. Soutenue le 14 novembre 2013, IEF, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), C. Gaquière (rapp.), A. Konczykowska, C. Maneux (rapp.), S. Megherbi, C. Tavernier et N. Zerounian.
  • SPISSER H. »Développement de capteurs THz à base de l’hétérostructure AlGaN/GaN », Thèse Université Paris-Sud, 2017. Soutenue le 14 février 2017, C2N, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), F. Boone (dir. Sherbrooke), H. Maher (Codir. Sherbrooke), C. Gaquière (rapp.), D. Coquillat (rapp.), A. Soltani (rapp. Sherbrooke) et N. Zerounian.
  • BERNUCHON E. « Optimisation de diodes Schottky pour les applications THz » Thèse, Université Paris-Sud, 2018. Soutenue le 23 octobre 2018, C2N, Orsay, jury : F. Aniel (dir. thèse), P.Dollfus (Président de Jury), R. Quéré (examinateur), L. Varani (rapporteur), A. Maestrini (rapporteur) PhD_E_Bernuchon_v00